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ML51TD1AE

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1-99

1.26

100-499

1.05

500-999

0.81

1000-1999

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ML51TD1AE

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Condition New

Quantity 370 Item Items

SRAM (Kbytes) :

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Data sheet

Sample Price (90% off of first 5 MCUs)

DATASHEET

ML51TD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。

ML51TD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。

目标应用:

穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。

关键特性:

•	CPU
	-	全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器
	-	指令集全兼容 MCS-51
	-	4 级优先级中断配置
	-	双数据指针 ( DPTRs )

•	工作条件
	-	宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V
	-	宽工作频率最高至 24 MHz
	-	工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃

•	低功耗特性
	-	正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz
	-	低功耗运行模式典型功耗 15 μA
	-	低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA
	-	掉电模式典型功耗小于 1 μA
	-	掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 )

•	内存
	-	64 K 字节 APROM，用于使用者代码
	-	可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM，用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码
	-	APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加
	-	Flash 内存 100,000 次擦写寿命
	-	代码安全加密
	-	256 字节片上 RAM
	-	额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问

•	PDMA
	-	三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输
	-	所有模式下源地址和目标地址必须字对齐
	-	内存到内存模式：传输长度必须字对齐
	-	外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐
	-	外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐

•	时钟源
	-	24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 4 % 精度等级
	-	38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级
	-	外置 4 ~ 24 MHz ( HXT ) 晶振输入为精密定时操作
	-	外置 32.768 kHz ( LXT ) 晶振输入
	-	运行中可通过软件对时钟源切
	-	可编程系统时钟分频器从 1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512

•	外设
	-	28 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的 2 级电平转换速率控制
	-	8 通道 GPIO 中断，具备边缘/电平检测，全部 28 个 GPIO 均可配置为输入源之一
	-	标准中断引脚 INT0 和 INT1 兼容标准 8051
	-	两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051
	-	一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块
	-	一组 16 位自动重载定时器 3
	-	一组可程序设计看门狗定时器 ( WDT )
	-	一组专用的自唤醒定时器 ( WKT )
	-	一组专用的RTC可实现日历和闹钟
	-	两组全双工串口
	-	两组智能卡接口支持 ISO7816-3
	-	两组SPI端口支持主机和从机模式，当系统时钟为 24 MHz 时传输速率高达 6 Mbps
	-	两组 I²C 总线支持主机和从机模式，数据传输率高达 400 kpbs
	-	12 通道脉宽调制器（PWM）输出，高达 16 位分辨率
	-	2组比较器
	-	一组 12 位 14 路 ADC，当V_DD大于 2.5V 转换速率高达 500 Ksps

•	电源监视器：
	-	欠压检测 ( BOD ) 可用于低功耗模式，7 个级别可选，可配置中断或复位
	-	上电复位 ( POR )
	-	低电压复位 ( LVR )

•	强效ESD及EFT能力
	-	ESD HBM 通过 8 kV
	-	EFT > ± 4.4 kV
	-	闩锁测试通过 150 mA

•	开发工具
	-	Nuvoton Nu-Link 基于 KEIL^TM 和 IAR 开发环境
	-	Nuvoton 电路编程 ( Nu-Link )
	-	Nuvoton 在系统编程 ( ISP ) 通过 UART