ML51PB9AE 為內建 Flash 的增強型 1T 8051 內核微控制器,正常運行模式典型功耗可達 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低於 1 uA。此系列最高速可達 24 MHz,並內建 38.4 kHz低速內部振盪器,支援寬電壓工作範圍 1.8 V 至 5.5 V,工作溫度:- 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51PB9AE 包含 16 K 位元組的 Flash 以及一個額外 1 K 位元組片上輔助 RAM (XRAM),備有豐富的外設,如 24 個通用 I/O、2 組串口、1 組 ISO-7816 介面、2 組 I²C 與 2 組 SPI,並提供 LQFP32 封裝。
目標應用:
穿戴式裝置、智慧搖控器、互聯網端點設備、智慧家居、煙感偵測裝置、電池裝置等。
關鍵特性:
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CPU |
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全靜態8位元1T 8051內核CMOS微控制器 |
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指令集全相容MCS-51 |
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4 級優先順序中斷配置 |
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雙數據指針 (DPTRs) |
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工作條件 |
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寬電壓工作範圍 1.8 V 至 5.5 V |
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寬工作頻率最高至 24 MHz |
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工業級工作溫度 - 40 °C 至 + 105 °C |
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低功耗特性 |
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正常運行模式典型功耗 80 uA/ MHz |
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低功耗運行模式典型功耗 15 uA |
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低功耗空閒模式功耗不超過 13 uA |
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掉電模式典型功耗小於 1 uA |
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掉電模式下喚醒時間為 10 us (HIRC運行) |
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記憶體 |
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16 K 位元組 APROM,用於使用者代碼 |
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可配置 4K/3K/2K/1K 位元組 LDROM, 用於啟動系統程式設計(ISP)代码 |
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APROM 中應用程式設計(IAP)記憶體 128 位元組每頁累加 |
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Flash 記憶體 100,000 次擦寫壽命 |
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代碼安全加密 |
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256 位元組片上 RAM |
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額外 1 K 位元組片上輔助 RAM (XRAM),通過 MOVX 指令訪問 |
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PDMA |
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三種模式: 外部設備到記憶體, 記憶體到外部設備, 和記憶體到記憶體傳輸 |
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所有模式下源位址和目標位址必須字對齊 |
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記憶體到記憶體模式: 傳輸長度必須字對齊 |
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外部設備到記憶體和記憶體到外部設備模式:傳輸資料長度可以位元組對齊 |
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外部設備到記憶體和記憶體到外部設備模式:傳輸資料寬度位元組對齊 |
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時鐘源 |
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24 MHz 高速內部振盪器(HIRC) ± 1 % 精度等級 (25 °C, 3.3 V) 全工作條件範圍下精度 ± 5 % 精度等級 |
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38.4 kHz 低速內部振盪器(LIRC) ± 1 % 精度等級 (25 °C, 3.3 V),全工作條件範圍下精度 ± 10 % 精度等級 |
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外置 4 ~ 24 MHz(HXT)晶振輸入為精密定時操作 |
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外置 32.768 kHz (LXT)晶振輸入 |
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運行中可通過軟體對時鐘源切 |
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可程式設計系統時鐘分頻器從1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512 |
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外設 |
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多達 24 個通用輸入輸出引腳。所有輸出引腳具有獨立的 2 級電平轉換速率控制 |
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8 通道GPIO中斷,具備邊緣/電平檢測,全部 24 個 GPIO 均可配置為輸入源之一 |
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標準中斷引腳 INT0 和 INT1 相容標準 8051 |
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兩組 16 位定時/計數器 0 和 1 相容標準 8051 |
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一組 16 位計時器 2 帶 3 通道輸入捕獲模組 |
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一組 16 位自動重載計時器 3 |
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一組可程式設計看門狗計時器 (WDT) |
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一組專用的自喚醒計時器 (WKT) |
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兩組全雙工串口 |
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一組智慧卡介面支援 ISO7816-3 |
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兩組 SPI 埠支援主機和從機模式,當系統時鐘為 24 MHz 時傳輸速率高達 6 Mbps |
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兩組 I²C 匯流排支援主機和從機模式,資料傳輸率高達 400 kpbs |
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6 * 16 - bit 組,12 通道脈寬調製器(PWM)輸出,高達 16 位解析度 |
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兩組比較器 |
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一組 12 位 ADC,當 VDD 大於 2.5 V 轉換速率高達 500 Ksps |
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電源監視器 |
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欠壓檢測(BOD)可用於低功耗模式,7 個級別可選,可配置中斷或重定 |
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上電復位 (POR) |
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低電復位 (LVR) |
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強效抗ESD和EFT能力 |
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ESD HBM 通過 8 kV |
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EFT > ± 4.4 kV |
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閂鎖測試通過 150 mA |
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開發工具 |
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Nuvoton Nu-Link 基於 KEILTM 和 IAR 開發環境 |
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Nuvoton 電路程式設計 (Nu-Link) |
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Nuvoton 在系統程式設計 (ISP) 通過 UART |
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