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ML51LD1AE

Quantity Unit Price (USD)

1-99 1.65

100-499 1.38

500-999 1.06

1000-1999 0.88

2000-4999 0.80

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ML51LD1AE

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Condition New

Quantity 195 Item Items

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DATASHEET

ML51LD1AE 為內建 flash 的增強型 1T 8051 內核微控制器，正常運行模式典型功耗可達 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低於 1 μA。此系列最高速可達 24 MHz，並內建 38.4 kHz 低速內部振盪器，支援寬電壓工作範圍 1.8V 至 3.6V，工作溫度： - 40 ℃ 至 105 ℃。

ML51LD1AE 包含 64 K 位元組的 Flash 以及一個額外 4 K 位元組片上輔助 RAM(XRAM), 備有豐富的外設，如 43 個通用 I/O、2 組串口、2 組 ISO-7816 介面、2 組 I²C 與 2 組 SPI，並提供 LQFP48 封裝。

目標應用:

穿戴式裝置、互聯網端點設備、智慧家居、手持電池裝置等。

關鍵特性:

•	CPU
	-	全靜態 8 位元 1T 8051 內核 CMOS 微控制器
	-	指令集全相容 MCS-51
	-	4 級優先順序中斷配置
	-	雙數據指針 ( DPTRs )

•	工作條件
	-	寬電壓工作範圍 1.8V 至 3.6V
	-	寬工作頻率最高至 24 MHz
	-	工業級工作溫度 - 40 ℃ 至 105 ℃

•	低功耗特性
	-	正常運行模式典型功耗 80 μA/ MHz
	-	低功耗運行模式典型功耗 15 μA
	-	低功耗空閒模式功耗不超過 13 μA
	-	掉電模式典型功耗小於 1 μA
	-	掉電模式下喚醒時間為 10 us ( HIRC 運行 )

•	記憶體
	-	64 K 位元組 APROM，用於使用者代碼
	-	可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 位元組 LDROM，用於啟動系統程式設計 ( ISP ) 代码
	-	APROM 中應用程式設計 ( IAP ) 記憶體 128 位元組每頁累加
	-	Flash 記憶體 100,000 次擦寫壽命
	-	代碼安全加密
	-	256 位元組片上 RAM
	-	額外 1 K 位元組片上輔助 RAM ( XRAM )，通過 MOVX 指令訪問

•	PDMA
	-	三種模式外部設備到記憶體、記憶體到外部設備和記憶體到記憶體傳輸
	-	所有模式下源位址和目標位址必須字對齊
	-	記憶體到記憶體模式：傳輸長度必須字對齊
	-	外部設備到記憶體和記憶體到外部設備模式：傳輸資料長度可以位元組對齊
	-	外部設備到記憶體和記憶體到外部設備模式：傳輸資料寬度位元組對齊

•	時鐘源
	-	24 MHz 高速內部振盪器 ( HIRC ) ± 1 % 精度等級 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作條件範圍下精度 ± 4 % 精度等級
	-	38.4 kHz 低速內部振盪器 ( LIRC ) ± 1 % 精度等級 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作條件範圍下精度 ± 10 % 精度等級
	-	外置 4 ~ 24 MHz ( HXT ) 晶振輸入為精密定時操作
	-	外置 32.768 kHz ( LXT ) 晶振輸入
	-	運行中可通過軟體對時鐘源切
	-	可程式設計系統時鐘分頻器從1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512

•	外設
	-	43 個通用輸入輸出引腳。所有輸出引腳具有獨立的 2 級電平轉換速率控制
	-	8 通道GPIO中斷，具備邊緣/電平檢測，全部 43 個 GPIO 均可配置為輸入源之一
	-	標準中斷引腳 INT0 和 INT1 相容標準 8051
	-	兩組 16 位定時/計數器 0 和 1 相容標準 8051
	-	一組 16 位計時器 2 帶 3 通道輸入捕獲模組
	-	一組 16 位自動重載計時器 3
	-	一組可程式設計看門狗計時器 ( WDT )
	-	一組專用的自喚醒計時器 ( WKT )
	-	一組專用的RTC可實現日曆和鬧鐘
	-	兩組全雙工串口
	-	兩組智慧卡介面支援 ISO7816-3
	-	兩組 SPI 埠支援主機和從機模式，當系統時鐘為 24 MHz 時傳輸速率高達 6 Mbps
	-	兩組 I²C 匯流排支援主機和從機模式，資料傳輸率高達 400 kpbs
	-	12 通道脈寬調製器（PWM）輸出，高達 16 位解析度
	-	2 組比較器
	-	一組 12 位 14 路 ADC，當V_DD大於 2.5V 轉換速率高達 500 Ksps

•	電源監視器:
	-	欠壓檢測 ( BOD ) 可用於低功耗模式，7 個級別可選，可配置中斷或重定
	-	上電復位 ( POR )
	-	低電復位 ( LVR )

•	強效抗ESD和EFT能力
	-	ESD HBM 通過 8 kV
	-	EFT > ± 4.4 kV
	-	閂鎖測試通過 150 mA

•	開發工具
	-	Nuvoton Nu-Link 基於 KEIL^TM 和 IAR 開發環境
	-	Nuvoton 電路程式設計 ( Nu-Link )
	-	Nuvoton 在系統程式設計 ( ISP ) 通過 UART