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ML51DB9AE

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ML51DB9AE

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Sample Price (90% off of first 5 MCUs)

ML51DB9AE 為內建 Flash 的增強型 1T 8051 內核微控制器，正常運行模式典型功耗可達 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低於 1 uA。此系列最高速可達 24 MHz，並內建 38.4 kHz低速內部振盪器，支援寬電壓工作範圍 1.8 V 至 5.5 V，工作溫度：- 40 ℃ 至 105 ℃。

ML51DB9AE 包含 16 K 位元組的 Flash 以及一個額外 1 K 位元組片上輔助 RAM (XRAM)，備有豐富的外設，如 11 個通用 I/O、2 組串口、1 組 ISO-7816 介面、2 組 I²C 與 1 組 SPI，並提供 TSSOP14 封裝。

目標應用:

穿戴式裝置、智慧搖控器、互聯網端點設備、智慧家居、煙感偵測裝置、電池裝置等。

關鍵特性:

•	CPU
	-	全靜態8位元1T 8051內核CMOS微控制器
	-	指令集全相容MCS-51
	-	4 級優先順序中斷配置
	-	雙數據指針 (DPTRs)

•	工作條件
	-	寬電壓工作範圍 1.8 V 至 5.5 V
	-	寬工作頻率最高至 24 MHz
	-	工業級工作溫度 - 40 °C 至 + 105 °C

•	低功耗特性
	-	正常運行模式典型功耗 80 uA/ MHz
	-	低功耗運行模式典型功耗 15 uA
	-	低功耗空閒模式功耗不超過 13 uA
	-	掉電模式典型功耗小於 1 uA
	-	掉電模式下喚醒時間為 10 us (HIRC運行)

•	記憶體
	-	16 K 位元組 APROM，用於使用者代碼
	-	可配置 4K/3K/2K/1K 位元組 LDROM，用於啟動系統程式設計（ISP）代码
	-	APROM 中應用程式設計（IAP）記憶體 128 位元組每頁累加
	-	Flash 記憶體 100,000 次擦寫壽命
	-	代碼安全加密
	-	256 位元組片上 RAM
	-	額外 1 K 位元組片上輔助 RAM (XRAM)，通過 MOVX 指令訪問

•	時鐘源
	-	24 MHz 高速內部振盪器(HIRC) ± 1 % 精度等級 (25 °C, 3.3 V) 全工作條件範圍下精度 ± 5 % 精度等級
	-	38.4 kHz 低速內部振盪器(LIRC) ± 1 % 精度等級 (25 °C, 3.3 V) , 全工作條件範圍下精度 ± 10 % 精度等級
	-	外置 4 ～ 24 MHz(HXT)晶振輸入為精密定時操作
	-	外置 32.768 kHz (LXT)晶振輸入
	-	運行中可通過軟體對時鐘源切
	-	可程式設計系統時鐘分頻器從1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512

•	外設
	-	多達 11 個通用輸入輸出引腳。所有輸出引腳具有獨立的 2 級電平轉換速率控制
	-	8 通道GPIO中斷，具備邊緣/電平檢測，全部 11 個 GPIO 均可配置為輸入源之一
	-	標準中斷引腳 INT0 和 INT1 相容標準 8051
	-	兩組 16 位定時/計數器 0 和 1 相容標準 8051
	-	一組 16 位計時器 2 帶 3 通道輸入捕獲模組
	-	一組 16 位自動重載計時器 3
	-	一組可程式設計看門狗計時器 (WDT)
	-	一組專用的自喚醒計時器 (WKT)
	-	兩組全雙工串口
	-	一組智慧卡介面支援 ISO7816-3
	-	一組 SPI 埠支援主機和從機模式，當系統時鐘為 24 MHz 時傳輸速率高達 6 Mbps
	-	兩組 I²C 匯流排支援主機和從機模式，資料傳輸率高達 400 kpbs
	-	6 * 16 - bit 組，12 通道脈寬調製器（PWM）輸出，高達 16 位解析度
	-	一組 12 位 ADC，當 V_DD大於 2.5 V 轉換速率高達 500 Ksps

•	電源監視器
	-	欠壓檢測（BOD）可用於低功耗模式，7 個級別可選，可配置中斷或重定
	-	上電復位 (POR)
	-	低電復位 (LVR)

•	強效抗ESD和EFT能力
	-	ESD HBM 通過 8 kV
	-	EFT > ± 4.4 kV
	-	閂鎖測試通過 150 mA

•	開發工具
	-	Nuvoton Nu-Link 基於 KEIL^TM 和 IAR 開發環境
	-	Nuvoton 電路程式設計 (Nu-Link)
	-	Nuvoton 在系統程式設計 (ISP) 通過 UART